什麼是III-V 族化合物半導體
由 III 族元素(Ga、In、Al 等)與 V 族元素(As、P、N 等)所構成的半導體。例如 GaAs、InP、GaN 等。
日文名稱: III-V族化合物半導体
「III-V 族化合物半導體」出現在1領域的1道練習題中（先進電晶體（FinFET與GAA）等）。
這個名詞所屬的領域: 化合物半導體
練習III-V 族化合物半導體的題目
InGaAs 等 III-V 族化合物半導體被研究作為未來 nMOS 通道材料，其主要原因為何？
- A因為可比矽更便宜地製造
- B因為電子遷移率遠大於矽
- C因為能隙比矽大，漏電較少
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正確答案：B. 因為電子遷移率遠大於矽
InGaAs 等 III-V 族化合物半導體的電子遷移率為矽的數倍以上，一直被期待即使在低電壓下也能流過大電流。然而，在矽基板上晶體成長的缺陷、難以形成良好的閘極絕緣膜界面、態密度小而實際電荷不易增加、電洞遷移率低、成本等課題，使其尚未用於邏輯的量產。
解析中的「III-V 族化合物半導體」
InGaAs 等 III-V 族化合物半導體的電子遷移率為矽的數倍以上，一直被期待即使在低電壓下也能流過大電流。
InGaAs 等 III-V 族化合物半導體被研究作為未來 nMOS 通道材料，其主要原因為何？
出現「III-V 族化合物半導體」的題目（1題）
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