在電動車的電力轉換中，IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT的選用概念，最適當的是下列何者？

正確答案：C. 高電壓、大電流的主驅動逆變器使用Si IGBT或SiC MOSFET，想以高頻率實現小型化的車載充電器或DC-DC轉換器則也逐漸採用GaN

IGBT適用高電壓、大電流且成本低，但因關斷時的拖尾電流而不適合高頻率。SiC MOSFET即使在1200 V級損失也小，在800 V系統的主驅動逆變器等的採用正逐漸擴大。GaN HEMT擅長650 V級以下特別高速的切換，開始被用於想提高頻率以使零件小型化的車載充電器或DC-DC轉換器。比較材料的性質與成本，依用途選用十分重要。