在SiC或GaN功率元件進行高速切換時，特別需要採取對策的問題為下列何者？

正確答案：A. 電壓與電流急遽變化所造成的雜訊（EMI）與突波電壓

SiC與GaN是以高達數十V/ns～100 V/ns的急遽電壓變化（dv/dt）與電流變化（di/dt）進行切換，因此容易因配線的寄生電感而產生突波電壓，以及因流經寄生電容的電流而產生較大的電磁雜訊（EMI）。需要採取的對策包括：縮短並加粗配線以減少寄生電感、以閘極電阻調整速度、加入緩衝器（snubber）或濾波器等。