先端トランジスタ(FinFET・GAA) 金属と半導体のコンタクト抵抗を下げるための基本的な方法として正しいものはどれか。 A接触する半導体の不純物濃度を高くし、障壁を薄くしてトンネル電流を流しやすくする B接触する半導体の不純物濃度を極めて低くする C金属と半導体の間に厚い酸化膜を入れる 答えと解説を見る 正解：A. 接触する半導体の不純物濃度を高くし、障壁を薄くしてトンネル電流を流しやすくする 金属と半導体の界面にはショットキー障壁ができます。半導体側の不純物濃度を高くすると障壁の幅が薄くなり、キャリアがトンネル効果で通り抜けやすくなるため、コンタクト抵抗が下がります。シリサイドの形成や障壁の低い材料の選択も、あわせて行われます。