シリサイドとは
しりさいど
シリコンと金属の化合物(NiSi、TiSi2など)。ソース・ドレインやゲートの表面に形成し、抵抗や接触抵抗を下げる。
この用語の分野: 配線プロセス
しりさいど
シリコンと金属の化合物(NiSi、TiSi2など)。ソース・ドレインやゲートの表面に形成し、抵抗や接触抵抗を下げる。
この用語の分野: 配線プロセス
シリサイドは金属とシリコンの化合物で、シート抵抗がシリコンの拡散層より1桁以上低く、例えばNiSiは約15 µΩ·cmです。
トランジスタのソース・ドレインやゲートの表面に、NiSiなどのシリサイドを形成する目的はどれか。先端のトランジスタでは接触抵抗が全体の抵抗の大きな割合を占めるため、シリサイドの形成や極めて高いドーピングで低減しています。
金属と半導体の接触をオーミック接触(抵抗性の接触)にするためによく使われる方法はどれか。あわせて、チタンなどのシリサイドで界面を作る、障壁の低い材料を選ぶ、接触面積を広げる工夫も行われ、先端世代では10⁻⁹ Ω·cm²級の低い接触抵抗率が求められています。
金属と半導体のコンタクト抵抗を下げるための基本的な方法として正しいものはどれか。オーミック接触 コンタクト 希フッ酸(DHF) 自然酸化膜 SC-1(APM) SC-2(HPM) RC遅延 IRドロップ エアギャップ MOL(ミドル・オブ・ライン)