先端トランジスタ(FinFET・GAA)
ゲートを絶縁膜で覆っておき、コンタクトの位置が多少ずれてもゲートとショートしないようにする技術はどれか。
- ALDD
- BTSV
- C自己整合コンタクト(SAC)
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正解:C. 自己整合コンタクト(SAC)
ゲートの上面と側面を窒化膜などで覆っておくと、コンタクトのエッチングがゲートの位置にずれても、絶縁膜で止まってゲートに届きません。この自己整合コンタクトにより、ゲートとコンタクトの間隔を詰めても短絡を防げ、セルの面積を小さくできます。
先端トランジスタ(FinFET・GAA)
正解:C. 自己整合コンタクト(SAC)
ゲートの上面と側面を窒化膜などで覆っておくと、コンタクトのエッチングがゲートの位置にずれても、絶縁膜で止まってゲートに届きません。この自己整合コンタクトにより、ゲートとコンタクトの間隔を詰めても短絡を防げ、セルの面積を小さくできます。