GaAsでシリコンのようなCMOS回路をつくることが難しい理由の一つとして正しいものはどれか。

正解：A. GaAsの正孔の移動度が電子に比べて非常に小さく、高性能なpチャネルトランジスタをつくりにくいため

GaAsの電子の移動度はシリコンより大きい一方、正孔の移動度は小さく、電子との差が非常に大きくなっています。CMOSでは性能のそろったnチャネルとpチャネルのトランジスタが必要なため、GaAsでは高性能なCMOSをつくりにくくなります。良質なゲート絶縁膜をつくりにくいことも理由です。

• A. 正しい。正孔の移動度が小さく、pチャネルが弱くなります。
• B. GaAsの電子の移動度はシリコンより大きいことが特徴です。
• C. GaAsは直接遷移型で、光をよく吸収します。