Électrode qui traverse le substrat de silicium. Elle relie verticalement des puces empilées sur une courte distance.
Nom japonais: TSV(シリコン貫通電極)
« TSV (via traversant le silicium) » apparaît dans 16 questions d'entraînement réparties sur 4 thèmes, dont Packaging avancé (3D et chiplets), Transistors avancés (FinFET et GAA), MEMS et capteurs.
Domaine: Packaging avancé (3D et chiplets)
Réponse : B. Une électrode traversant le substrat de silicium dans son épaisseur, qui relie verticalement des puces empilées
Le TSV (Through-Silicon Via) est une électrode obtenue en perçant dans le substrat de silicium un trou de quelques µm à une quinzaine de µm de diamètre puis en le remplissant d'un conducteur, afin de relier électriquement les faces avant et arrière. Il permet d'empiler des puces et de réaliser des milliers de connexions ou plus sur des distances plus courtes qu'avec le câblage par fil ; il est utilisé dans l'intégration 3D, la HBM et les interposeurs silicium. Les interconnexions horizontales en surface correspondent aux interconnexions multicouches classiques, les billes de brasure aux bornes externes.
Réponse : A. Micro-bossages
Les micro-bossages sont de très petits bossages de 10 à quelques dizaines de µm de diamètre, disposés à un pas de quelques dizaines de µm, utilisés pour les nombreuses connexions entre puces. Ils servent à l'empilement des puces DRAM de la HBM et à la connexion des puces sur interposeur, et sont souvent assemblés par thermocompression. Le pas des billes de brasure de BGA est d'environ 0,4 à 1 mm. Lorsqu'un pas encore plus fin est requis, on recourt au collage hybride.
Le TSV (Through-Silicon Via) est une électrode obtenue en perçant dans le substrat de silicium un trou de quelques µm à une quinzaine de µm de diamètre puis en le remplissant d'un conducteur, afin de relier électriquement les faces avant et arrière.
Quelle définition du TSV (via traversant le silicium) est c…Le TSV est réalisé en perçant dans le silicium un trou de rapport d'aspect d'environ 10 par gravure profonde, par exemple le procédé Bosch qui alterne gravure et dépôt de couche de passivation, puis en formant sur ses parois un film isolant, une couche barrière et une couche d'amorçage, avant de le remplir de cuivre ou autre par dépôt électrolytique.
Quel est le procédé de formation courant d'un TSV ?Les puces empilées par TSV sont amincies à quelques dizaines de µm pour limiter la profondeur des trous et réduire l'épaisseur totale après empilement.
Quel est l'ordre de grandeur de l'épaisseur à laquelle on a…En mise en boîtier avancée, le perçage et le remplissage des TSV, la redistribution fine, la formation des bossages, l'amincissement, etc.
Quel nom donne-t-on aux étapes de mise en boîtier avancée q…Selon le moment de leur formation, les TSV se classent en via first (avant les transistors), via middle (après les transistors et avant les interconnexions multicouches) et via last (après les interconnexions ou après amincissement, depuis la face arrière).
Dans la classification selon le moment de formation des TSV…HBM Intégration 3D Collage hybride (hybrid bonding) Intégration 2.5D Interposeur silicium Via Câblage par fil (wire bonding) Interconnexions multicouches Procédé Bosch (Deep RIE) GPU