Conducteur reliant électriquement deux niveaux d'interconnexion superposés dans une interconnexion multicouche. Réalisé en remplissant de métal un trou percé dans l'isolant.
Nom japonais: ビア
« Via » apparaît dans 47 questions d'entraînement réparties sur 22 thèmes, dont Procédés d'interconnexion, Analyse temporelle et CDC, Programmation GPU.
Domaine: Procédés d'interconnexion
Réponse : A. Autodopage
L'autodopage est le phénomène par lequel des dopants s'évaporent d'un substrat fortement dopé, de sa face arrière ou de ses bords, et sont incorporés via le gaz dans la couche en croissance. Particulièrement important en début de croissance, il fait dévier la concentration de la couche épitaxiale de la valeur visée ou adoucit la transition de concentration à l'interface. Les remèdes sont le recouvrement de la face arrière par un oxyde ou du polysilicium, la croissance à basse pression ou une purge des dopants par gaz avant la croissance.
Réponse : A. Un conducteur qui relie électriquement les couches d'interconnexion supérieure et inférieure
Un via est un conducteur vertical obtenu en remplissant de métal un trou percé dans l'isolant intercouche, qui relie les interconnexions de la couche supérieure et de la couche inférieure. Dans les produits avancés, il est extrêmement fin (environ 20 nm de diamètre) et une puce en compte plusieurs milliards ou plus. Celui qui relie le transistor à la couche d'interconnexion la plus basse est appelé contact. Dans le procédé double damascène, les tranchées et les vias sont remplis de Cu en une fois. La résistance des vias et les défauts d'ouverture influent fortement sur les performances et le rendement.
L'autodopage est le phénomène par lequel des dopants s'évaporent d'un substrat fortement dopé, de sa face arrière ou de ses bords, et sont incorporés via le gaz dans la couche en croissance.
Comment appelle-t-on le phénomène par lequel des impuretés …Un via est un conducteur vertical obtenu en remplissant de métal un trou percé dans l'isolant intercouche, qui relie les interconnexions de la couche supérieure et de la couche inférieure.
Quelle description d'un via dans une interconnexion multico…Un void dans un via rétrécit le chemin du courant et augmente la résistance, voire provoque une rupture dans les cas graves.
Quel problème survient lorsque le remplissage en Cu est ins…Si le courant de diffusion des porteurs minoritaires dans les régions neutres domine, n ≈ 1 ; si le courant de recombinaison via des niveaux de défauts dans la zone de déplétion domine, n tend vers 2, car ce courant est proportionnel à exp(qV/2kT).
Dans l'équation du courant de diode I ∝ exp(qV / nkT), quel…On l'évite par une contre-réaction via une résistance d'émetteur, une dissipation thermique suffisante et l'utilisation dans l'aire de sécurité (SOA).
Quelle définition de l'emballement thermique d'un transisto…Rendement (yield) Électromigration Synchroniseur GPU Mémoire partagée (shared memory) Contre-réaction Interconnexions multicouches Procédé double damascène Couche d'amorçage (seed layer) Domaine d'horloge