Quelle est la principale raison de prévoir autour des TSV une zone sans transistor (zone d'exclusion, keep-out zone) ?

Réponse : B. Les contraintes dues à la différence de coefficient de dilatation thermique entre le cuivre et le silicium modifient les caractéristiques des transistors voisins

Le coefficient de dilatation thermique du cuivre, environ 17×10⁻⁶ /K, est plus de 6 fois celui du silicium, environ 2,6×10⁻⁶ /K ; les variations de température en fabrication laissent donc des contraintes dans le silicium entourant le TSV. Ces contraintes modifiant la mobilité des porteurs, les caractéristiques comme le courant des transistors voisins dérivent. On prévoit donc autour des TSV une zone d'exclusion de quelques µm où les composants sensibles ne sont pas placés.