Structure empilant de nombreux niveaux d'interconnexions séparés par des isolants et reliés verticalement par des vias. Les LSI avancés dépassent 10 niveaux.
Nom japonais: 多層配線
« Interconnexions multicouches » apparaît dans 5 questions d'entraînement réparties sur 4 thèmes, dont Packaging avancé (3D et chiplets), Procédés d'interconnexion, CMP et nettoyage.
Domaine: Procédés d'interconnexion
Réponse : A. La section des vias diminue, et la proportion occupée par la barrière métallique résistive augmente
Lorsque les vias s'amincissent, leur section diminue et leur résistance augmente ; de plus, la barrière métallique résistive (2 à 3 nm d'épaisseur) qui empêche la diffusion du Cu ne peut guère être amincie, si bien que dans un via de 20 nm de diamètre, la barrière occupe une part considérable de la section. La barrière au fond du via étant en série sur le chemin du courant, son impact sur la résistance est important. On étudie donc l'ALD pour amincir la barrière, des techniques supprimant la barrière du fond et des matériaux sans barrière.
Réponse : B. Via middle
Selon le moment de leur formation, les TSV se classent en via first (avant les transistors), via middle (après les transistors et avant les interconnexions multicouches) et via last (après les interconnexions ou après amincissement, depuis la face arrière). Le via middle, qui épargne aux TSV en cuivre les étapes à haute température des transistors (environ 1000 ℃) tout en facilitant leur raccordement aux interconnexions, est largement utilisé.
Selon le moment de leur formation, les TSV se classent en via first (avant les transistors), via middle (après les transistors et avant les interconnexions multicouches) et via last (après les interconnexions ou après amincissement, depuis la face arrière).
Dans la classification selon le moment de formation des TSV…Développé chez IBM dans les années 1980, il élimine des marches de quelques dizaines de nm sur toute la plaquette et est indispensable aux interconnexions multicouches et en cuivre.
Quelle définition du CMP (polissage mécano-chimique) est co…Lorsque la face avant est masquée par les interconnexions multicouches, on observe par la face arrière amincie, en exploitant la transparence du silicium à l’infrarouge.
Quelle méthode d’analyse détecte la faible lumière émise pa…Les interconnexions horizontales en surface correspondent aux interconnexions multicouches classiques, les billes de brasure aux bornes externes.
Quelle définition du TSV (via traversant le silicium) est c…Via TSV (via traversant le silicium) Barrière métallique RIE (gravure ionique réactive) ALD CMP Slurry (suspension de polissage) TXRF (fluorescence X en réflexion totale) Câblage par fil (wire bonding) Intégration 3D