Elektrode die door het siliciumsubstraat heen loopt. Verbindt gestapelde chips over een korte afstand verticaal met elkaar.
Japanse benaming: TSV(シリコン貫通電極)
“TSV (through-silicon via)” komt voor in 16 oefenvragen uit 4 onderwerpen, bijv. Geavanceerde technologieën (3D-integratie, chiplets), Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA), MEMS en sensoren.
Vakgebied: Geavanceerde technologieën (3D-integratie, chiplets)
Antwoord: B. Een elektrode die het siliciumsubstraat in de dikterichting doorboort en gestapelde chips onderling verticaal verbindt
Een TSV (through-silicon via) is een elektrode waarbij in het siliciumsubstraat gaten van enkele µm tot enkele tientallen µm diameter worden gemaakt en met geleidend materiaal worden gevuld, zodat voor- en achterzijde van het substraat elektrisch worden verbonden. Chips kunnen worden gestapeld en met over kortere afstand dan bij wire bonding meer dan duizenden verbindingen worden gemaakt; TSV's worden daarom gebruikt in 3D-integratie, HBM en silicium-interposers. Laterale bedrading op het oppervlak is gewone multilaag-metallisatie en soldeerballen zijn externe aansluitingen.
Antwoord: A. Microbumps
Microbumps zijn zeer kleine bumps met een diameter van 10 tot enkele tientallen µm, geplaatst met een pitch van enkele tientallen µm, en worden gebruikt voor de vele verbindingen tussen chips. Ze worden toegepast bij het stapelen van HBM-DRAM-dies en bij het verbinden van chips op een interposer, en meestal gebonden met thermocompressiebonding. De pitch van BGA-soldeerballen is circa 0,4 tot 1 mm. Is een nog kleinere pitch nodig, dan wordt hybrid bonding gebruikt.
Een TSV (through-silicon via) is een elektrode waarbij in het siliciumsubstraat gaten van enkele µm tot enkele tientallen µm diameter worden gemaakt en met geleidend materiaal worden gevuld, zodat voor- en achterzijde van het substraat elektrisch worden verbonden.
Welke uitspraak over TSV (through-silicon via) is juist?Een TSV wordt gemaakt door met diep etsen, zoals het Bosch-proces waarbij etsen en afzetting van een beschermfilm elkaar afwisselen, in silicium een gat met een aspectverhouding van circa 10 te etsen, aan de binnenzijde een isolatiefilm, barrièrelaag en seedlaag te vormen en het gat daarna met plateren met koper enz.
Welke beschrijving van het gebruikelijke vormingsproces van…Chips die met TSV's worden gestapeld worden tot circa enkele tientallen µm gedund om de gatdiepte te beperken en de totale dikte na stapelen klein te houden.
Wat is een juiste richtwaarde voor de dikte waartoe een waf…Bij geavanceerde packaging worden het etsen en vullen van TSV's, fijne herbedrading, bumpvorming, dunnen enz.
Hoe heet het procesgebied waarin geavanceerde packagingproc…TSV's worden naar het moment van vorming ingedeeld in via-first (vóór de transistoren), via-middle (na de transistoren en vóór de multilaag-metallisatie) en via-last (na de bedrading of vanaf de achterzijde na het dunnen van de wafer).
Welke methode, ingedeeld naar het moment waarop de TSV word…HBM (high bandwidth memory) Via Numerieke apertuur (NA) Hybride bonding (hybrid bonding) 2.5D-integratie Silicium-interposer Wirebonden (wire bonding) Aspectverhouding GPU BGA