Packaging avancé (3D et chiplets)

Quelle définition du TSV (via traversant le silicium) est correcte ?

  1. AUne interconnexion horizontale formée uniquement à la surface de la puce
  2. BUne électrode traversant le substrat de silicium dans son épaisseur, qui relie verticalement des puces empilées
  3. CUne bille de brasure utilisée comme borne externe du boîtier
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : B. Une électrode traversant le substrat de silicium dans son épaisseur, qui relie verticalement des puces empilées

Le TSV (Through-Silicon Via) est une électrode obtenue en perçant dans le substrat de silicium un trou de quelques µm à une quinzaine de µm de diamètre puis en le remplissant d'un conducteur, afin de relier électriquement les faces avant et arrière. Il permet d'empiler des puces et de réaliser des milliers de connexions ou plus sur des distances plus courtes qu'avec le câblage par fil ; il est utilisé dans l'intégration 3D, la HBM et les interposeurs silicium. Les interconnexions horizontales en surface correspondent aux interconnexions multicouches classiques, les billes de brasure aux bornes externes.

Empilement 3D par TSV et micro-bumps Substrat de boîtier Interposeur silicium Die logique ex. GPU HBM (DRAM empilée) Die DRAM Die de base TSV (via traversant) Micro-bumps Routage TSV et micro-bumps relient les puces verticalement, au plus court
Empilement 3D par TSV et micro-bumps · Voir dans les schémas
S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Packaging avancé (3D et chiplets)

  1. Quelle définition de la HBM (High Bandwidth Memory) est correcte ?
  2. Quel est le rôle de l'interposeur silicium utilisé en intégration 2.5D ?
  3. Quelle définition du collage hybride (hybrid bonding) est correcte ?
  4. Quelle caractéristique du boîtier sur plaquette en éventail (FOWLP) est correcte ?
  5. Quelle norme industrielle d'interface entre puces vise à permettre l'interconnexion de chiplets provenant de sociétés différentes ?

Comparatifs sur ce thème