SiC（碳化矽）相較於Si更適合高耐壓功率元件的主要理由為下列何者？

正確答案：A. 因為崩潰電場約為Si的10倍

SiC的能隙約3.3 eV，相當大，崩潰電場約為Si的10倍（約3 MV/cm）。在相同耐壓下，漂移層厚度可縮減為約1/10，雜質濃度可提高約100倍，因此漂移層的電阻理論上可降至數百分之一。熱傳導率也約為Si的3倍，耐高溫，在EV的逆變器等領域的採用日益擴大。另一方面，晶圓比Si昂貴，大口徑化（8吋）仍在進行中。