什麼是IGBT

正確答案：A. 雙極性電晶體以基極電流控制，MOSFET以閘極電壓控制（閘極幾乎沒有直流電流流過）

雙極性電晶體是以基極電流控制集極電流的電流控制型。MOSFET的閘極由絕緣膜隔開，是電壓控制型，穩態的閘極電流幾乎為0，但每次切換時仍有對閘極電容充放電的電流。因此低速時驅動功率小，在高速、大容量時，驅動電路的能力就變得重要。結合兩者優點的就是以MOS閘極驅動的IGBT。

正確答案：B. 不使用石英坩堝，所以氧等雜質少，容易得到高電阻的晶體

FZ法是以高頻感應加熱將多晶矽棒的一部分熔成帶狀，再移動該熔融區使其單晶化的方法。由於不使用坩堝，氧的混入少，雜質也會集中到熔融區而被去除，因此可得到高純度、電阻率達1000 Ω·cm以上的晶體。它用於高耐壓的功率元件(IGBT等)與偵測器，但大口徑化以CZ法較為容易，FZ法的上限約為200 mm左右。