功率半導體
在驅動SiC MOSFET或IGBT時，有時會在截止時對閘極施加負電壓（例如 −3～−5 V），其主要理由為下列何者？
- A為了提高切換頻率
- B為了防止因對側開關動作造成的電壓變化而使閘極電壓被抬高，導致誤導通
- C為了降低導通電阻
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正確答案：B. 為了防止因對側開關動作造成的電壓變化而使閘極電壓被抬高，導致誤導通
在橋式電路中，對側開關導通時的急遽電壓變化（dv/dt），會經由米勒電容讓電流流入截止中元件的閘極，使閘極電壓被抬高。一旦超過臨界值就會誤導通，造成上下短路。SiC MOSFET的臨界電壓低至2～3 V，dv/dt也大，因此特別需要注意，並以負閘極電壓或米勒箝位電路來確保餘裕。
- A. 這不是為了提高切換頻率。
- B. 正確。這是為了防止誤導通（自我導通，self turn-on）。
- C. 導通電阻由正的閘極電壓決定，負偏壓並不會使其降低。