SiC MOSFET的本體二極體持續流通電流時，特性可能劣化，其已知的原因為下列何者？

正確答案：A. 晶體中的基底面差排擴展成堆疊缺陷

當對SiC的本體二極體施加順向電流時，電子與電洞複合的能量可能使晶體中的基底面差排擴展成堆疊缺陷，導致導通電壓上升（雙極性劣化）。堆疊缺陷是阻礙導通的面狀缺陷。人們採取的對策包括：在磊晶成長過程中，以緩衝層將基底面差排轉換成其他種類差排；以及不依賴本體二極體，而是內建蕭特基二極體等。