作為SiC MOSFET的課題之一而為人所知的是下列何者？

正確答案：C. SiC與閘極氧化膜的界面缺陷多，通道遷移率容易變低

SiC也能以熱氧化形成SiO2，但界面上仍殘留許多與碳有關的缺陷等，通道遷移率遠低於SiC晶體內部的遷移率（約1000 cm²/V·s），容易降到數十cm²/V·s左右，這是其課題。人們已透過在一氧化氮（NO）中進行氮化處理等方式推進改善。臨界電壓的變動與閘極氧化膜的長期可靠度，也是比Si需要更審慎評估的項目。