半導体物性
電子密度1×10¹⁶ cm⁻³、電子の移動度1000 cm²/V·sのn型シリコンの抵抗率はおよそいくらか。(正孔の寄与は無視、電気素量1.6×10⁻¹⁹ C)
- A約0.06 Ω·cm
- B約0.6 Ω·cm
- C約60 Ω·cm
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正解：B. 約0.6 Ω·cm
導電率は σ = q n μ = 1.6×10⁻¹⁹ × 1×10¹⁶ × 1000 = 1.6 S/cm です。抵抗率はその逆数で、ρ = 1 / 1.6 ≈ 0.63 Ω·cm となります。
半導体物性
正解：B. 約0.6 Ω·cm
導電率は σ = q n μ = 1.6×10⁻¹⁹ × 1×10¹⁶ × 1000 = 1.6 S/cm です。抵抗率はその逆数で、ρ = 1 / 1.6 ≈ 0.63 Ω·cm となります。