半導体物性

移動度1000 cm²/V·sの電子に、100 V/cmの電界をかけたときのドリフト速度はいくらか。

  1. A1×10³ cm/s
  2. B1×10⁵ cm/s
  3. C1×10⁷ cm/s
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正解：B. 1×10⁵ cm/s

ドリフト速度は v = μE で求められます。1000 cm²/V·s × 100 V/cm = 1×10⁵ cm/s です。ただし電界が非常に強くなると、速度は比例して増えず、シリコンでは約1×10⁷ cm/sで頭打ちになります(速度飽和)。

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