MOSFETのチャネルの移動度が、シリコン結晶内部の移動度より小さくなる主な理由として正しいものはどれか。

正解：B. チャネルのキャリアがSi/SiO2界面の近くを流れるため、界面の凹凸や電荷による散乱を受けやすいから

MOSFETのチャネルは、ゲート絶縁膜との界面のごく近くにできます。キャリアは界面の凹凸や界面付近の電荷によって散乱されやすく、ゲート電圧を上げて界面に強く引き寄せるほど散乱が増えるため、移動度は結晶内部より小さくなります。