半導体物性

不純物の少ないシリコンの室温における電子の移動度に最も近い値はどれか。

  1. A約14 cm²/(V·s)
  2. B約140,000 cm²/(V·s)
  3. C約1,400 cm²/(V·s)
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正解：C. 約1,400 cm²/(V·s)

不純物の少ないシリコンの室温での電子の移動度は約1,400 cm²/(V·s)、正孔の移動度は約450 cm²/(V·s)です。不純物濃度が高くなると、イオン化不純物散乱によってこれより小さくなります。

  • A. 約14 cm²/(V·s)は2桁小さすぎます。
  • B. 約140,000 cm²/(V·s)は2桁大きすぎます。高移動度の化合物半導体でもこれほど大きくはありません。
  • C. 正しい。電子は約1,400 cm²/(V·s)です。
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