化合物半導体

GaAsに強い電界を加えると、電子が移動度の低い別の谷(バレー)に移り、電界を上げても電流が減る負性微分抵抗が現れる。これを利用した発振素子はどれか。

  1. Aガンダイオード
  2. Bツェナーダイオード
  3. Cフォトダイオード
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正解:A. ガンダイオード

GaAsでは、強い電界で加速された電子が、有効質量が大きく移動度の低い上の谷へ移るため、ある電界以上ではドリフト速度が下がります(電子遷移効果)。この負性微分抵抗によって、ガンダイオードは直流を加えるだけでマイクロ波を発振します。

  • A. 正しい。電子遷移効果を利用したマイクロ波の発振素子です。
  • B. ツェナーダイオードは逆方向の降伏を利用した定電圧素子です。
  • C. フォトダイオードは光を検出する素子です。
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