ICP(誘導結合プラズマ)とは
あいしーぴー
コイルに高周波電流を流して高密度のプラズマを生成する方式。プラズマの密度と、ウエハに入るイオンのエネルギーを別々に制御しやすい。
この用語の分野: エッチング
あいしーぴー
コイルに高周波電流を流して高密度のプラズマを生成する方式。プラズマの密度と、ウエハに入るイオンのエネルギーを別々に制御しやすい。
この用語の分野: エッチング
ICP型では、チャンバーの上や周りのコイルに高周波を流してつくる誘導電界で10¹¹〜10¹² cm⁻³の高密度のプラズマを生成し、ウエハ側には別の高周波電源でバイアスを加えます。
誘導結合プラズマ(ICP)型エッチング装置の特徴として正しいものはどれか。回収した液をICP-MSや全反射蛍光X線(TXRF)で分析すると、ウエハ全面の金属汚染を10⁸〜10⁹ atoms/cm²程度の感度で測定できます。
ウエハ表面の金属汚染を高感度に分析するため、フッ酸の蒸気で表面の酸化膜を溶かし、液滴で回収して分析装置にかける前処理の…ICPなどの高密度プラズマ装置で、LEDやレーザーのメサ構造、HEMTのゲートのくぼみ(リセス)などを加工し、ダメージで性能が落ちないよう低いイオンエネルギーでの加工も工夫されています。
GaNのドライエッチングに一般的に使われるガスはどれか。プラズマ ラジカル 自然酸化膜 TXRF(全反射蛍光X線分析) GaN(窒化ガリウム) ドライエッチング ウェットエッチング HEMT(高電子移動度トランジスタ) RIE(反応性イオンエッチング) アスペクト比