ウエハを極低温に冷やしてエッチングする方法が、高アスペクト比の加工で注目されている理由として正しいものはどれか。

正解：B. 側壁での反応が抑えられ、速く垂直な深い加工がしやすいため

ウエハを極低温に冷やすと、側壁ではラジカルによる自発的な化学反応が抑えられたり、保護膜が形成されやすくなったりする一方、イオンが当たる底面ではエッチングが進みます。そのため、深く垂直な穴を速く加工でき、3D NANDのメモリホールの加工などで注目されています。