高アスペクト比のパターンのプラズマエッチングで、電子が側壁で遮られてパターンの上部に負の電荷がたまり、正イオンが底で曲げられて形状異常やダメージを起こす現象はどれか。

正解：A. 電子シェーディング効果

電子は方向がばらばらに飛ぶため狭いパターンの奥に入りにくく、パターンの上部の側壁に負の電荷がたまります。一方、イオンは垂直に入って底を正に帯電させます。この電荷の偏りで後から来るイオンが曲げられ、ノッチングやゲート絶縁膜のダメージの原因になります。

• A. 正しい。電子が遮られて帯電の偏りが生じる現象です。
• B. トンネル効果は粒子が障壁を通り抜ける量子力学的な現象です。
• C. ピエゾ効果は圧電体の力と電荷の関係です。