什麼是LOCOS(局部矽氧化隔離)

只將未被氮化膜覆蓋的部分氧化成厚膜，以隔離元件的方法。邊緣會出現鳥嘴狀的侵蝕（鳥嘴效應），現已被STI取代。

日文名稱: LOCOS

「LOCOS(局部矽氧化隔離)」出現在1領域的5道練習題中（氧化與擴散等）。

這個名詞所屬的領域: 氧化與擴散

練習LOCOS(局部矽氧化隔離)的題目

在 LOCOS（選擇性氧化）中，氧化層像鳥嘴般侵入氮化膜遮罩邊緣下方的現象稱為什麼？

  1. A碟形凹陷
  2. B缺口效應
  3. C鳥嘴效應
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正確答案：C. 鳥嘴效應

在 LOCOS 中，被氮化膜覆蓋的部分不會被氧化，但氧化劑會通過氮化膜下方的墊氧化層從側面擴散而使氧化進行，因此氧化層像鳥嘴一樣侵入（鳥嘴效應）。侵入量單側可達氧化層厚度的一半左右，使元件的有效面積減少，所以大約在 0.25 µm 世代起被使用溝槽的 STI 取代。墊氧化層是為了保護矽免受氮化膜的應力而必須存在的。

對於用於 LOCOS 等元件隔離的場氧化層，與 MOSFET 的閘極氧化層，兩者厚度的關係一般何者正確？

  1. A閘極氧化層厚得多
  2. B兩者厚度相同
  3. C場氧化層厚得多
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正確答案：C. 場氧化層厚得多

場氧化層為了避免通過其上的配線與矽之間的寄生電晶體導通，做得很厚，約數百 nm。這是因為越厚，寄生電晶體的臨界電壓就越高。另一方面，閘極氧化層為了讓閘極的電場強烈傳到通道，非常薄，約數 nm，兩者相差 100 倍以上。同一晶片上，也會分別使用較厚的閘極氧化層作為輸入輸出用。

解析中的「LOCOS(局部矽氧化隔離)」

出現「LOCOS(局部矽氧化隔離)」的題目（5題）

  1. 在 LOCOS（選擇性氧化）中，氧化層像鳥嘴般侵入氮化膜遮罩邊緣下方的現象稱為什麼？
  2. 對於用於 LOCOS 等元件隔離的場氧化層，與 MOSFET 的閘極氧化層，兩者厚度的關係一般何者正確？
  3. 在 LOCOS 中，氮化膜遮罩下方的矽表面形成薄氮化物，使後續的閘極氧化層局部變薄或不良的現象稱為什麼？
  4. 微細的 LSI 主要採用下列何種方法進行元件隔離？
  5. 關於矽熱氧化層的典型用途，下列何者正確？

相關名詞

STI(淺溝槽隔離) 鳥嘴效應 臨界電壓 CVD(化學氣相沉積) CMP(化學機械研磨) FinFET(鰭式場效電晶體) 熱氧化 離子佈植 可動離子 合成氣體退火

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