薄膜沉積(CVD與PVD)
先以具流動性的薄膜從下方填滿非常狹窄且深的溝槽,再使其固化的成膜方法,下列何者正確?
- A真空蒸鍍
- B流動性CVD(FCVD)或塗佈型絕緣膜(SOD)
- C磁控濺鍍
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正確答案:B. 流動性CVD(FCVD)或塗佈型絕緣膜(SOD)
流動性CVD是使含矽與氮的原料在低溫(100 ℃以下)反應,沉積出如液體般流動的薄膜,從溝槽底部開始填滿,之後在臭氧或水蒸氣中熱處理使其固化、改質為氧化膜。塗佈型絕緣膜(SOD)同樣利用液體的流動性。用於寬度在10 nm等級且高深寬比的STI,或FinFET鰭片之間等,以一般CVD會殘留空洞的溝槽之填充。