氧化與擴散
關於矽熱氧化層的典型用途，下列何者正確？
- A配線的導體
- B閘極絕緣膜、元件間的隔離，以及決定雜質導入位置的遮罩
- C發光的發光層
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正確答案：B. 閘極絕緣膜、元件間的隔離，以及決定雜質導入位置的遮罩
熱氧化形成的 SiO2 絕緣性高，與矽的介面品質也好，因此一直被用於 MOSFET 的閘極絕緣膜、將元件與元件電性隔開的隔離（LOCOS、STI 的襯墊層）、離子佈植與擴散的遮罩，以及佈植時的表面保護等。先進的閘極雖已改用 High-k 膜，但其下方的界面層至今仍使用極薄的 SiO2。
- A. SiO2 是絕緣體，不能用作配線的導體。
- B. 正確。用於絕緣膜、隔離與遮罩。
- C. SiO2 是絕緣體，不用作發光層。