薄膜沉積（CVD與PVD）
關於氮化矽膜（Si3N4）的用途，下列何者正確？
- A作為閘極電極或配線的主要材料
- BLOCOS的氧化遮罩、CMP的停止層、表面的保護膜（鈍化層）
- C取代光阻
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正確答案：B. LOCOS的氧化遮罩、CMP的停止層、表面的保護膜（鈍化層）
氮化矽膜不易讓氧、水分、鈉等離子通過，質地堅硬，且容易與氧化膜取得蝕刻選擇比，因此用於選擇性氧化（LOCOS）的遮罩、STI形成時的CMP停止層、保護晶片表面的鈍化膜、蝕刻的停止層或硬遮罩、閘極的側壁間隔層、自對準接觸窗的保護等。相對介電常數約為7，因此較少用於配線之間。