氧化與擴散
微細的 LSI 主要採用下列何種方法進行元件隔離？
- A打線接合
- BLOCOS（選擇性氧化）
- CSTI（淺溝槽隔離）
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正確答案：C. STI（淺溝槽隔離）
現今微細的 LSI 主要採用 STI：在矽中挖出深度約 200～300 nm 的淺溝槽，填入 CVD 氧化層，再以 CMP 平坦化。過去的主流 LOCOS 因氧化層向橫向侵入形成鳥嘴，使隔離寬度無法縮小，表面也殘留階差，所以大約在 0.25 µm 世代起被 STI 取代。STI 平坦且可縮小寬度，也被用於 FinFET 鰭片之間的隔離。