STI(シャロートレンチ分離)란?

えすてぃーあい

シリコンに浅い溝を掘って絶縁膜を埋め込み、CMPで平坦化して素子どうしを分離する方法。LOCOSのバーズビークがなく、微細なLSIの素子分離の標準になっている。

일본어 명칭: STI(シャロートレンチ分離)

STI(シャロートレンチ分離)은(는) CMP와 세정, 첨단 패키징(3D와 칩렛) 등 2개 분야의 연습 문제 4개에 나와요.

분야: 산화와 확산

도전해 보기: STI(シャロートレンチ分離) 관련 문제

STI 형성 CMP에서 실리콘 질화막에 대한 산화막의 연마 선택비를 높이기 위해 자주 사용되는 연마 입자는?

  1. A세리아(산화세륨)
  2. B철 분말
  3. C다이아몬드 거친 입자
정답과 해설 보기

정답: A. 세리아(산화세륨)

세리아(산화세륨)는 산화막과 화학적으로 결합하여 효율적으로 깎이는 한편, 첨가제(아미노산 등의 계면활성제)가 질화막 표면에 흡착하여 연마를 억제하므로, 질화막에 대한 산화막의 연마 선택비를 수십~100 이상으로 높일 수 있습니다. 질화막을 스토퍼로 사용하는 STI의 CMP에서 평탄도와 연마 정지 용이성을 동시에 확보하기 위해 사용됩니다. 적은 입자로도 빠르게 연마할 수 있다는 것도 특징입니다.

해설 속 STI(シャロートレンチ分離)

STI(シャロートレンチ分離)이(가) 나오는 문제 (4)

  1. STI 형성 CMP에서 실리콘 질화막에 대한 산화막의 연마 선택비를 높이기 위해 자주 사용되는 연마 입자는?
  2. CMP가 사용되는 공정의 조합으로 올바른 것은?
  3. 연마 입자를 슬러리에 넣는 대신 연마 패드 안에 고정해 두는 방식의 CMP는?
  4. 칩이나 웨이퍼의 표면에 형성하여 전극의 위치를 외부 단자의 위치까지 끌어 배치하기 위한 배선층을 무엇이라 하는가?

관련 용어

CMP 再配線層(RDL) 可動イオン 界面準位 酸窒化膜(SiON) 酸化増速拡散(OED) 熱酸化 熱拡散 Deal-Groveモデル LOCOS

용어집으로 돌아가기