什麼是MCZ法(磁場施加CZ法)

正確答案：B. 氧

CZ法是在石英(SiO2)坩堝中熔化矽，因此從坩堝溶出的氧會以約10¹⁸ cm⁻³的濃度進入晶體。氧具有固定差排而提高晶體機械強度的優點，熱處理所形成的析出物也能作為吸附位置，但過多則會造成缺陷與熱施體(thermal donor)。因此會以施加磁場抑制對流的MCZ法等控制其濃度，並依用途決定規格。

正確答案：B. MCZ法(施加磁場的CZ法)

矽的熔液可導電，所以施加磁場時，流動的熔液會受到反方向的力(勞倫茲力)而抑制對流。在MCZ法中，藉此可以抑制從坩堝溶出的氧進入晶體，也能減少溫度波動而抑制成長條紋，提高晶體的均勻性。熔液多達數百kg的300 mm晶體對流劇烈，因此標準採用橫向磁場的MCZ法。