什麼是熱施體
CZ矽在450℃附近熱處理時，氧原子聚集而具有施體作用者。由於會改變晶圓電阻率，需以高溫處理將其消除。
日文名稱: サーマルドナー
「熱施體」出現在1領域的3道練習題中（矽晶圓等）。
這個名詞所屬的領域: 矽晶圓
練習熱施體的題目
以CZ法成長的矽晶體中，從坩堝較多地混入的雜質是哪一種？
- A金
- B氧
- C氦
以CZ法成長的矽晶體所含間隙氧的濃度，其參考值最接近下列哪一項？
- A約10¹⁸ cm⁻³
- B約10²³ cm⁻³
- C約10¹⁰ cm⁻³
查看答案與解析
正確答案：A. 約10¹⁸ cm⁻³
CZ晶體含有從石英坩堝溶出的氧，約為10¹⁷〜10¹⁸ cm⁻³(數〜十幾ppma)，多數位於間隙位置。這些氧經熱處理析出後有助於吸附，也能固定差排使晶圓更堅固，但過多則會造成缺陷與熱施體。濃度以紅外線吸收(波長約9 µm的吸收)來量測，並依用途管控在狹窄的範圍內。
解析中的「熱施體」
氧具有固定差排而提高晶體機械強度的優點，熱處理所形成的析出物也能作為吸附位置，但過多則會造成缺陷與熱施體(thermal donor)。
以CZ法成長的矽晶體中，從坩堝較多地混入的雜質是哪一種？這些氧經熱處理析出後有助於吸附，也能固定差排使晶圓更堅固，但過多則會造成缺陷與熱施體。
以CZ法成長的矽晶體所含間隙氧的濃度，其參考值最接近下列哪一項？將含有間隙氧的CZ矽在350〜500 ℃進行熱處理，會形成由數個氧原子聚集而成的集合體，作為釋放電子的施體發揮作用(熱施體，thermal donor)。
將CZ矽在450℃附近熱處理時，氧原子會聚集並作為施體作用，使晶圓的電阻率改變。這稱為什麼？
出現「熱施體」的題目（3題）
相關名詞
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