什麼是FZ法(浮動區熔法)

加熱使多晶矽棒的一部分熔融,並移動該熔融區帶而形成單晶的方法。由於不使用坩堝,氧含量低,適合高電阻率晶圓。

日文名稱: FZ法(フローティングゾーン法)

「FZ法(浮動區熔法)」出現在1領域的1道練習題中(矽晶圓等)。

這個名詞所屬的領域: 矽晶圓

練習FZ法(浮動區熔法)的題目

以FZ法(浮動區熔法)製作的矽單晶,下列哪一項特徵是正確的?

  1. A最容易大口徑化,是300 mm晶圓的主流製法
  2. B不使用石英坩堝,所以氧等雜質少,容易得到高電阻的晶體
  3. C不需熔化多晶矽即可使其單晶化
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正確答案:B. 不使用石英坩堝,所以氧等雜質少,容易得到高電阻的晶體

FZ法是以高頻感應加熱將多晶矽棒的一部分熔成帶狀,再移動該熔融區使其單晶化的方法。由於不使用坩堝,氧的混入少,雜質也會集中到熔融區而被去除,因此可得到高純度、電阻率達1000 Ω·cm以上的晶體。它用於高耐壓的功率元件(IGBT等)與偵測器,但大口徑化以CZ法較為容易,FZ法的上限約為200 mm左右。

解析中的「FZ法(浮動區熔法)」

出現「FZ法(浮動區熔法)」的題目(1題)

  1. 以FZ法(浮動區熔法)製作的矽單晶,下列哪一項特徵是正確的?

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