飽和領域とは

ほうわりょういき

バイポーラトランジスタのベース-エミッタ接合とベース-コレクタ接合がどちらも順バイアスになった状態。コレクタ-エミッタ間電圧が0.1〜0.3 V程度まで下がり、スイッチのオンに相当する。

MOSFETのドレイン電流とドレイン電圧の関係 ドレイン-ソース間電圧 VDS ドレイン電流 ID ,,1 ,,4 ,,9 VGS − Vth = 3 V = 2 V = 1 V 線形領域 飽和領域 飽和電流は (VGS − Vth)² に比例

この用語の分野: バイポーラトランジスタ

解説の中の「飽和領域」

「飽和領域」が出てくる問題(11問)

  1. シリコンのバイポーラトランジスタが飽和領域にあるときの、コレクタ-エミッタ間電圧の目安として正しいものはどれか。
  2. バイポーラトランジスタが飽和領域にあるときの接合の状態として正しいものはどれか。
  3. 長チャネルのMOSFETが飽和領域で動作しているとき、ドレイン電流IDはおよそ何に比例するか。(VGS:ゲート-ソース間電圧、Vth:しきい値電圧)
  4. 飽和領域にあるMOSFETで、ドレイン電圧を上げると実効的なチャネル長が短くなり、ドレイン電流がわずかに増える現象を何と呼ぶか。
  5. 長チャネルのnMOSFETが飽和領域で動作する条件として正しいものはどれか。(VGS > Vth とする)
  6. 飽和領域にあるMOSFETの小信号の出力抵抗roを、チャネル長変調係数λとドレイン電流IDで表した式として適切なものはどれか。
  7. NPNトランジスタを増幅に使う(能動領域で動作させる)ときのバイアス条件として正しいものはどれか。
  8. バイポーラトランジスタをスイッチとして使うとき、オンの状態に対応する動作領域はどれか。
  9. エミッタ接地のトランジスタの出力特性(IC-VCE特性)を、ベース電流IBをパラメータとして描いたときの能動領域の特徴として正しいものはどれか。
  10. ドレイン-ソース間電圧VDSが十分小さい線形領域でのMOSFETの振る舞いとして正しいものはどれか。
  11. MOSFETの相互コンダクタンスgmの定義として正しいものはどれか。

関連する用語

電流増幅率(hFE) 遮断領域 オン抵抗 速度飽和 チャネル長変調 能動領域 しきい値電圧 移動度 アーリー効果 相互コンダクタンス

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