パワー半導体
シリコンのMOSFETとIGBTの一般的な使い分けとして正しいものはどれか。
- AMOSFETは比較的低い電圧で高速なスイッチング向き、IGBTは数百V以上の高電圧・大電流向きである
- BIGBTは低電圧・小電流向き、MOSFETは高電圧・大電流向きである
- Cどちらも同じ用途にしか使えない
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正解：A. MOSFETは比較的低い電圧で高速なスイッチング向き、IGBTは数百V以上の高電圧・大電流向きである
シリコンのMOSFETは多数キャリアだけで動作するため高速にスイッチングできますが、高耐圧にするとオン抵抗が急に大きくなります。IGBTは少数キャリアの注入による伝導度変調で、高耐圧でもオン電圧を低く保てるため、数百V以上の大電流用途に向きます。代わりにテール電流のためスイッチングは遅めです。
- A. 正しい。MOSFETは高速・中低圧、IGBTは高圧・大電流向きです。
- B. 用途が逆です。
- C. 電圧や周波数に応じて使い分けられます。