パワー半導体

GaN HEMTで電流が流れるチャネルとして正しいものはどれか。

  1. Aゲート下に形成されるp型の反転層
  2. B不純物を高濃度にドープした厚いn型層
  3. CAlGaN/GaNの界面に分極によって生じる2次元電子ガス(2DEG)
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正解:C. AlGaN/GaNの界面に分極によって生じる2次元電子ガス(2DEG)

GaN HEMTでは、AlGaNとGaNの界面に、自発分極とピエゾ分極によって高密度の2次元電子ガス(2DEG)が生じます。不純物散乱の少ない領域を電子が走るため移動度が高く、高周波・高効率のスイッチングが可能です。2DEGがゲート電圧0 Vでも存在するため、基本構造はノーマリーオン型になります。

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