パワーMOSFETとは

解説の中の「パワーMOSFET」

• パワーMOSFETでは、ソースにつながったp型のボディ領域とn型のドリフト層の間にPN接合ができ、ソースからドレインの向きに電流を流せる寄生ダイオードになります。

  パワーMOSFETの内部に構造上できる寄生ダイオードを何と呼ぶか。

• ディスクリート半導体(個別半導体)は、ダイオード、トランジスタ、サイリスタ、パワーMOSFET、IGBTなど、1つの素子として機能する製品です。

  ダイオードや単体のトランジスタ、パワーMOSFETなど、1つの機能を単体で担う半導体製品の分類はどれか。

• 静電気(数kV)でも容易に起こるため、ICの入出力にはESD保護回路が入り、パワーMOSFETもゲート耐圧は±20 V程度です。

  MOSFETのゲート-ソース間に、定格を大きく超える電圧を加えたときに起こりうる破壊はどれか。

「パワーMOSFET」が出てくる問題(13問)

1. パワーMOSFETを複数並列に接続して使いやすい理由として、オン抵抗の温度依存性に関する説明で正しいものはどれか。
2. シリコンのパワーMOSFETにおける耐圧とオン抵抗の関係として正しいものはどれか。
3. パワーMOSFETの内部に構造上できる寄生ダイオードを何と呼ぶか。
4. オン抵抗10 mΩのパワーMOSFETに10 Aの電流が流れているときの導通損失はいくらか。
5. パワーMOSFETで、ゲートをシリコンに掘った溝の中に埋め込むトレンチゲート構造の主な利点はどれか。
6. パワーMOSFETのゲートを一定電流で充電したとき、ゲート電圧がしばらく平らになる「ミラープラトー」が生じる理由として正しいものはどれか。
7. パワーMOSFETの「アバランシェ耐量」が重要になるのはどのような場合か。
8. ダイオードや単体のトランジスタ、パワーMOSFETなど、1つの機能を単体で担う半導体製品の分類はどれか。
9. MOSFETのゲート-ソース間に、定格を大きく超える電圧を加えたときに起こりうる破壊はどれか。
10. nチャネルMOSFETのチャネルで電流を運ぶキャリアはどれか。
11. MOSFETをスイッチとして使うときの「オン抵抗」の説明として正しいものはどれか。
12. 一般的な集積回路のMOSFETで、ソースとドレインの関係として正しいものはどれか。
13. ヒ素やアンチモンを高濃度に添加した低抵抗のn⁺シリコンウエハの主な用途として正しいものはどれか。

関連する用語

オン抵抗 SiC(炭化ケイ素) 移動度 IGBT GaN(窒化ガリウム) ボディダイオード ディスクリート半導体 ESD(静電気放電) TDDB(経時絶縁破壊) 反転層