パワー半導体

パワーMOSFETで、ゲートをシリコンに掘った溝の中に埋め込むトレンチゲート構造の主な利点はどれか。

  1. Aゲート容量がゼロになる
  2. B耐圧が必ず2倍になる
  3. Cセルを高密度に並べてチャネル幅を増やし、オン抵抗を下げられる
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正解：C. セルを高密度に並べてチャネル幅を増やし、オン抵抗を下げられる

トレンチゲート構造では、チャネルが溝の側壁に縦方向にできるため、平面(プレーナ)型より単位面積あたりに多くのセルを並べられます。チャネルの総幅が増えるとともに、隣のセルの間の抵抗(JFET抵抗)もなくなり、オン抵抗を下げられます。

  • A. ゲート容量はなくならず、むしろ増える傾向があります。
  • B. 耐圧は主にドリフト層で決まり、構造だけで2倍にはなりません。
  • C. 正しい。セルを高密度化してオン抵抗を下げます。
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