MOSFET

ドレイン-ソース間電圧VDSが十分小さい線形領域でのMOSFETの振る舞いとして正しいものはどれか。

  1. Aゲート電圧によって抵抗値が変わる可変抵抗のように振る舞う
  2. BVDSによらず一定の電流を流す定電流源のように振る舞う
  3. C一方向にしか電流を流さないダイオードのように振る舞う
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正解：A. ゲート電圧によって抵抗値が変わる可変抵抗のように振る舞う

線形領域では、ドレイン電流がVDSにほぼ比例し、その比例係数(コンダクタンス)がゲート電圧で変わります。つまり、ゲート電圧で制御できる可変抵抗のように振る舞います。スイッチとして使うときのオン状態はこの領域にあたります。VDSが大きくなると電流がほぼ一定の飽和領域になります。

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