バイポーラトランジスタ
シリコンのバイポーラトランジスタが飽和領域にあるときの、コレクタ-エミッタ間電圧の目安として正しいものはどれか。
- A約0.1〜0.3 V
- B約5 V
- C約20 V
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正解:A. 約0.1〜0.3 V
飽和領域では両方の接合が順バイアスになり、コレクタ-エミッタ間の電圧VCE(sat)は約0.1〜0.3 V程度と小さくなります。スイッチとして使うときのオン状態の電圧降下にあたり、この値が小さいほどスイッチの損失が小さくなります。
バイポーラトランジスタ
正解:A. 約0.1〜0.3 V
飽和領域では両方の接合が順バイアスになり、コレクタ-エミッタ間の電圧VCE(sat)は約0.1〜0.3 V程度と小さくなります。スイッチとして使うときのオン状態の電圧降下にあたり、この値が小さいほどスイッチの損失が小さくなります。