EOT(等価酸化膜厚)とは
いーおーてぃー
High-k膜などのゲート絶縁膜を、同じゲート容量を与えるSiO2膜の厚さに換算した値。物理的には厚くてもEOTは薄くでき、トンネル電流を抑えながらゲート容量を確保できる。
この用語の分野: 先端トランジスタ(FinFET・GAA)
解説の中の「EOT(等価酸化膜厚)」
EOTは、ゲート絶縁膜の容量を、SiO2(比誘電率3.9)で実現した場合の膜厚に換算した値で、EOT = 物理膜厚 × 3.9/εです。
EOT(等価酸化膜厚)の説明として正しいものはどれか。SiO2は約3.9で、ゲート絶縁膜の性能はこの値を基準にした等価酸化膜厚(EOT)で比べます。
シリコンの比誘電率に最も近い値はどれか。ポリシリコン空乏化とあわせて、物理膜厚より大きい「電気的膜厚(CET)」の原因で、EOTを薄くするほど比重が増します。
ゲート絶縁膜が非常に薄いMOSFETで、反転層の電子の分布のピークが界面から少し離れた位置にくることによる影響として正…
「EOT(等価酸化膜厚)」が出てくる問題(7問)
- EOT(等価酸化膜厚)の説明として正しいものはどれか。
- シリコンの比誘電率に最も近い値はどれか。
- ゲート絶縁膜が非常に薄いMOSFETで、反転層の電子の分布のピークが界面から少し離れた位置にくることによる影響として正しいものはどれか。
- High-k/メタルゲートのトランジスタで、シリコンとHigh-k膜(ハフニウム系酸化膜など)の間に、ごく薄いSiO2などの層を設けることが多い理由はどれか。
- ゲート酸化膜に窒素を導入して酸窒化膜(SiON)にする主な目的はどれか。
- 熱酸化で形成したSiO2膜の比誘電率に最も近い値はどれか。
- 薄いゲート酸化膜の表面に、プラズマで生成した窒素を導入する処理を何と呼ぶか。
関連する用語
酸窒化膜(SiON) 反転層 Low-k材料 移動度 空乏層 接合容量(空乏層容量) High-k/メタルゲート しきい値電圧 熱酸化 エアギャップ