PN接合・ダイオード 片側階段接合の空乏層の幅と逆バイアス電圧Vの関係として正しいものはどれか。(Vが内蔵電位より十分大きい場合) AVに比例する BVの2乗に比例する CVの平方根にほぼ比例する 答えと解説を見る 正解：C. Vの平方根にほぼ比例する 片側階段接合の空乏層幅は W ∝ √(Vbi + V) で表され、Vが十分大きければほぼ√Vに比例します。そのため接合容量は1/√Vにほぼ比例して小さくなります。また、低濃度側の不純物濃度が低いほど空乏層は広がります。