内蔵電位とは
ないぞうでんい
PN接合の空乏層に、外から電圧をかけなくても生じている電位差。シリコンでは0.6〜0.8 V程度で、キャリアの拡散を止める障壁になる。
この用語の分野: PN接合・ダイオード
解説の中の「内蔵電位」
内蔵電位は Vbi = (kT/q)·ln(NA·ND/ni²) で、両側の不純物濃度が高いほど大きくなります。
PN接合の内蔵電位(拡散電位)と、両側の不純物濃度の関係として正しいものはどれか。その傾きから低濃度側の不純物濃度N、切片から内蔵電位が求まり、これがC-V測定の基本です。
片側階段接合の空乏層の幅と逆バイアス電圧Vの関係として正しいものはどれか。(Vが内蔵電位より十分大きい場合)熱平衡では接合した物質どうしでフェルミ準位が一直線にそろい、その結果PN接合の内蔵電位やMOSのフラットバンド電圧が生まれます。
フェルミ準位の意味として正しいものはどれか。
「内蔵電位」が出てくる問題(7問)
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