パンチスルーとは
ぱんちするー
ソースとドレインの空乏層がつながり、ゲートで制御できない電流が流れる現象。チャネルが短すぎたり基板の濃度が低すぎたりすると起こる。
この用語の分野: MOSFET
解説の中の「パンチスルー」
これがパンチスルーです。
MOSFETのパンチスルーの説明として正しいものはどれか。代わりにベース抵抗が大きくなり、コレクタの空乏層がエミッタまで届くパンチスルーが起こりやすくなるため、耐圧の面では不利です。
バイポーラトランジスタのベース幅を薄くする主な理由として最も適切なものはどれか。表面の濃度はトランジスタの特性に合わせて低めにしつつ、深い位置を高濃度にして、パンチスルーやラッチアップ(寄生サイリスタの動作)を抑えられます。
CMOSのウェル形成で、高エネルギーのイオン注入を使って、表面より深い位置の不純物濃度を高くしたウェルを何と呼ぶか。
「パンチスルー」が出てくる問題(4問)
関連する用語
空乏層 ハロー注入(ポケット注入) FinFET GAA(ゲートオールアラウンド) 拡散長 電流増幅率(hFE) CMOS イオン注入 レトログレードウェル ラッチアップ