PN接合・ダイオード

逆バイアスのPN接合の空乏層容量(接合容量)Cを、接合の面積A、空乏層の幅W、半導体の誘電率εで表した式はどれか。

  1. AC = εA / W
  2. BC = εW / A
  3. CC = ε / (A × W)
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正解：A. C = εA / W

空乏層は、両側に電荷がたまった絶縁層のように振る舞うため、平行平板コンデンサと同じく C = εA/W で表せます。逆バイアスを大きくするとWが広がり、容量は小さくなります。

  • A. 正しい。平行平板コンデンサと同じ形の式です。
  • B. 幅Wが広いほど容量は小さくなるので、Wは分母にきます。
  • C. 面積Aが大きいほど容量は大きくなるので、Aは分子にきます。
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