接合容量(空乏層容量)とは

せつごうようりょう

PN接合の空乏層が、平行平板のコンデンサのように働くことで生じる容量。逆バイアスを大きくすると空乏層が広がって小さくなる。可変容量ダイオードはこの性質を使う。

この用語の分野: PN接合・ダイオード

解説の中の「接合容量(空乏層容量)」

「接合容量(空乏層容量)」が出てくる問題(11問)

  1. 逆バイアスのPN接合の空乏層容量(接合容量)Cを、接合の面積A、空乏層の幅W、半導体の誘電率εで表した式はどれか。
  2. シリコンの比誘電率に最も近い値はどれか。
  3. PN接合に加える逆方向バイアス電圧を大きくすると、空乏層の幅はどうなるか。
  4. 可変容量ダイオード(バラクタダイオード)が利用している性質はどれか。
  5. フォトダイオードを光の検出に使うときの一般的な使い方として正しいものはどれか。
  6. p層とn層の間に不純物の少ないi層を挟んだPINダイオードの特徴として正しいものはどれか。
  7. 順方向バイアスのPN接合で、注入された少数キャリアの蓄積によって生じる容量はどれか。
  8. 片側階段接合の空乏層の幅と逆バイアス電圧Vの関係として正しいものはどれか。(Vが内蔵電位より十分大きい場合)
  9. バイポーラトランジスタのトランジション周波数fTの意味として正しいものはどれか。
  10. p型基板のMOSキャパシタを高周波で測定したC-V特性で、ゲートに大きな正の電圧を加えて強反転させたときの容量はどうなるか。
  11. SOI(Silicon On Insulator)構造の説明として正しいものはどれか。

関連する用語

空乏層 内蔵電位 EOT(等価酸化膜厚) Low-k材料 PLL(位相同期回路) フォトダイオード 暗電流 伝導度変調 順方向バイアス 拡散容量

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