PN接合・ダイオード

PN接合の内蔵電位(拡散電位)と、両側の不純物濃度の関係として正しいものはどれか。

  1. A不純物濃度とは無関係に一定である
  2. B不純物濃度が高いほど小さくなる
  3. C不純物濃度が高いほど大きくなる
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正解：C. 不純物濃度が高いほど大きくなる

内蔵電位は Vbi = (kT/q) ln(NA × ND / ni²) で表され、両側の不純物濃度が高いほど大きくなります。シリコンのPN接合では、一般に0.6〜0.9 V程度です。

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