Geavanceerde technologieën (3D-integratie, chiplets)

Welke beschrijving van het gebruikelijke vormingsproces van TSV's is juist?

  1. AVerbinding via draden
  2. BVorming door uitsluitend soldeer in te brengen
  3. CEen gat etsen met diep etsen, een isolatiefilm en barrièrelaag vormen en daarna met koper enz. vullen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Een gat etsen met diep etsen, een isolatiefilm en barrièrelaag vormen en daarna met koper enz. vullen

Een TSV wordt gemaakt door met diep etsen, zoals het Bosch-proces waarbij etsen en afzetting van een beschermfilm elkaar afwisselen, in silicium een gat met een aspectverhouding van circa 10 te etsen, aan de binnenzijde een isolatiefilm, barrièrelaag en seedlaag te vormen en het gat daarna met plateren met koper enz. te vullen. Daarna wordt de wafer vanaf de achterzijde gedund, zodat de top van de TSV vrijkomt. Het is een proces waarin het moeilijk is het diepe gat tot op de bodem zonder voids te vullen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde technologieën (3D-integratie, chiplets)

  1. Wat is het belangrijkste doel van de methode waarbij packages niet op ronde wafers maar gezamenlijk op grote rechthoekige panelen worden gemaakt?
  2. Wat is een juiste richtwaarde voor de dikte waartoe een wafer vanaf de achterzijde wordt geslepen om chips met TSV's te kunnen stapelen?
  3. Welke uitspraak over de verwachte voordelen van chiplets is juist?
  4. Welke eis wordt bij hybrid bonding aan de te verbinden vlakken gesteld?
  5. Welke uitspraak over de rol van de basisdie (logic die) onderaan een HBM is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp